在缺芯潮的刺激下，全球各國家地區(qū)紛紛加入爭奪芯片制造霸主的戰(zhàn)爭中。據(jù)彭博社本周四報(bào)道，韓國宣布了其野心勃勃的半導(dǎo)體發(fā)展計(jì)劃，計(jì)劃在
在缺芯潮的刺激下，全球各國家地區(qū)紛紛加入爭奪芯片制造霸主的戰(zhàn)爭中。據(jù)彭博社本周四報(bào)道，韓國宣布了其野心勃勃的半導(dǎo)體發(fā)展計(jì)劃，計(jì)劃在未來十年內(nèi)斥資約4500億美元(編者注：約合2.9萬億元)建設(shè)全球最大的芯片制造基地，與中國和美國共同爭奪芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)。
其中，韓國政府將通過減稅，降低利率、放寬法規(guī)和加強(qiáng)基礎(chǔ)設(shè)施減等措施來激勵(lì)韓國的半導(dǎo)體企業(yè)。同時(shí)確保在未來十年為目標(biāo)地區(qū)提供對(duì)芯片晶圓廠必不可少的水電供應(yīng)。
韓國希望通過此次計(jì)劃，在2022年至2031年間幫助培養(yǎng)36000名芯片專家，為芯片研究和開發(fā)貢獻(xiàn)13億美元，并幫助半導(dǎo)體行業(yè)立法。
報(bào)道稱，三星電子和SK海力士作為153家推動(dòng)這項(xiàng)長達(dá)十年計(jì)劃的公司成員之二，將根據(jù)韓國總統(tǒng)文在寅及政府制定的國家藍(lán)圖，在截止到2030年的未來十年內(nèi)，在半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)方面引領(lǐng)近4500億美元的投資。
本周四，三星的芯片高管發(fā)布了關(guān)于這一計(jì)劃的相關(guān)信息。三星首席執(zhí)行長樸正浩表示，到2030年，三星將把其支出增加30%，海力士則承諾斥資970億美元擴(kuò)建現(xiàn)有設(shè)施，并計(jì)劃在龍仁建設(shè)四個(gè)新工廠，投資1060億美元。
三星和SK海力士是全球重要的存儲(chǔ)芯片制造商，制造了全球大部分存儲(chǔ)芯片，幾乎遍及所有可以用來存儲(chǔ)的設(shè)備。但在先進(jìn)的邏輯芯片制造生產(chǎn)上，例如能夠運(yùn)行AI和數(shù)據(jù)處理等復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)的芯片，韓國卻比較滯后。反觀中國臺(tái)灣半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電，則擁有較強(qiáng)的邏輯芯片制造實(shí)力。
因此，三星一直將發(fā)展邏輯芯片作為自己與臺(tái)積電競爭的目標(biāo)，以確保能夠在英偉達(dá)的GPU業(yè)務(wù)以及高通的移動(dòng)處理器業(yè)務(wù)上爭取到更大的份額。與此同時(shí)，海力士也宣布其進(jìn)軍邏輯芯片的計(jì)劃。
事實(shí)上，早在2019年，三星電子就承諾到2030年，在邏輯業(yè)務(wù)上投入133萬億韓元(約合1178億美元)，這次是在原來的基礎(chǔ)上再增加38萬億韓元(約合336億美元)，以加速先進(jìn)的研究并擴(kuò)大生產(chǎn)。
“通過增加更多的投資，F(xiàn)oundry的擴(kuò)產(chǎn)將有助于推動(dòng)AI、5G和自動(dòng)駕駛等下一代技術(shù)為基礎(chǔ)的整個(gè)新興產(chǎn)業(yè)。”三星電子表示。
另外，三星還宣布已經(jīng)在其位于韓國平澤市的工廠建設(shè)一條新的生產(chǎn)線P3，使用EUV光刻技術(shù)制造14nm DRAM和5nm邏輯芯片，這條被命名為P3的生產(chǎn)線將于2022年下半年竣工。
“整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)正面臨一個(gè)分水嶺，現(xiàn)在是制定長期戰(zhàn)略和投資計(jì)劃的時(shí)候了。”三星副董事長兼芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人金基南表示。
