realme GT2大師探索版現(xiàn)已確認(rèn)將會(huì)搭載高通驍龍8+移動(dòng)平臺(tái),采用臺(tái)積電4nm制程工藝,其功耗與良品率與三星4nm相比要更勝一籌。今日,數(shù)碼博
realme GT2大師探索版現(xiàn)已確認(rèn)將會(huì)搭載高通驍龍8+移動(dòng)平臺(tái),采用臺(tái)積電4nm制程工藝,其功耗與良品率與三星4nm相比要更勝一籌。
今日,數(shù)碼博主@WHYLAB曝出了realme GT2大師探索版的Geekbench 5跑分圖,單核成績達(dá)1296分,多核為 4211分,相較于驍龍8有接近10%左右的提升,當(dāng)然考慮到工程機(jī)的緣故,還有進(jìn)一步的優(yōu)化空間。
另外,根據(jù)跑分圖顯示,realme GT2大師探索版最高還將配備12GB內(nèi)存,預(yù)計(jì)內(nèi)存規(guī)格將會(huì)從前代的LPDDR4X 2133MHz升級(jí)到LPDDR5 3200MHz。
根據(jù)此前爆料的信息,realme GT2大師探索版將成為OPPO系首款支持100W快充的機(jī)型,同時(shí)輔以5000mAh雙電芯電池,后置5000萬像素三鏡頭設(shè)計(jì),主攝有望支持OIS光學(xué)防抖。
另外,realme GT2大師探索版的外觀將有日本知名設(shè)計(jì)師深澤直人操刀設(shè)計(jì),整機(jī)的顏值將有比較大的提升,realme副總裁曾贊嘆“這將是手機(jī)工業(yè)設(shè)計(jì)的天花板”。
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