5G基站的建設(shè)采取大規(guī)模多天線技術(shù)(Massive MIMO)并要求高頻寬帶高效率，由此功放芯片等元器件性能的提升面臨更大的挑戰(zhàn)。近期，36氪了解到
5G基站的建設(shè)采取大規(guī)模多天線技術(shù)(Massive MIMO)并要求高頻寬帶高效率，由此功放芯片等元器件性能的提升面臨更大的挑戰(zhàn)。
近期，36氪了解到一家專注高性能射頻氮化鎵 (GaN) 功率放大器芯片的 IC 設(shè)計公司——優(yōu)鎵科技(北京)有限公司(以下簡稱「優(yōu)鎵科技」)，公司創(chuàng)立于2019年10月，屬于比較典型的由學(xué)校知識成果轉(zhuǎn)化而來的項目，創(chuàng)始團(tuán)隊成員均來自于清華大學(xué)電子工程系，目前剛完成第一代樣片的設(shè)計和流片，正處于測試、送樣階段。
「優(yōu)鎵科技」曾于2019年10月獲得了過千萬元天使輪融資，由英諾天使領(lǐng)投，常見投資、騰飛資本、清華DNA基金跟投。
針對 5G 基站建設(shè)提出的新要求，GaN 相比于其他方案的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下方面：1)小型化，GaN 在功率密度上的優(yōu)勢使得芯片體積大量縮小，對于整機(jī)系統(tǒng)的尺寸有巨大改進(jìn);2)高效率、高頻率，GaN 可以工作在更高的頻率，提供更寬的信號帶寬，同時實現(xiàn)更低的系統(tǒng)能耗，據(jù)公司介紹，5G 基站 AAU 實測中 PA(射頻功放芯片)能耗開銷占比可達(dá)44%，GaN 方案將在很大程度上降低基站能耗。
在小型化的基礎(chǔ)上達(dá)到其他性能點(diǎn)上的要求
在 GaN 功放芯片的設(shè)計方面，難點(diǎn)主要在于如何，比如如何散熱、保持更高的線性度、工作效率?！竷?yōu)鎵科技」CEO 黃飛告訴36氪，公司在成立不到一年時間里能夠推出第一代樣片，是因為核心的設(shè)計方法和原理驗證經(jīng)過了學(xué)校實驗室十余年的反復(fù)迭代和不斷驗證，“公司這段時間主要工作是把相對來說比較成熟的技術(shù)做產(chǎn)品化的設(shè)計”。 據(jù)介紹，未來公司將保持每季度一次迭代的速度，
產(chǎn)品優(yōu)勢方面，黃飛介紹，公司一方面優(yōu)勢在于做的是國內(nèi)自主可控、完全自主研發(fā)的功放產(chǎn)品，另一方面核心團(tuán)隊在寬帶 Doherty 功放電路架構(gòu)有十幾年經(jīng)驗，樣片初測結(jié)果顯示，和國外主流的頭部器件廠商相比，第一代產(chǎn)品性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到同一水準(zhǔn)。下一步「優(yōu)鎵科技」將通過不斷迭代使得產(chǎn)品在性能指標(biāo)上更具有優(yōu)勢，達(dá)到設(shè)備商對于產(chǎn)品性能的需求。
目前的研發(fā)主要針對客戶的需求提供比較直接的解決方案。
盡管成立時間不長，公司核心團(tuán)隊已經(jīng)進(jìn)行了十多年功率放大器的研究設(shè)計，未成立公司前，團(tuán)隊就與華為、中興、大唐等設(shè)備制造商有過緊密合作，部分核心關(guān)鍵技術(shù)已批量應(yīng)用，據(jù)黃飛介紹，由于客戶多集中于運(yùn)營商以及頭部通信設(shè)備商，
面向市場靈活快速地響應(yīng)各方的新需求
生產(chǎn)模式上，「優(yōu)鎵科技」采取 fabless 輕資產(chǎn)模式，專注芯片電路設(shè)計與銷售，將生產(chǎn)、測試以及封裝等環(huán)節(jié)外包。除了基礎(chǔ)設(shè)備投資上的權(quán)衡，另一部分還考慮到公司的靈活性，“5G建設(shè)早期這個階段，從運(yùn)營商到設(shè)備商各個性能點(diǎn)還在不斷變化，這種模式能夠”。
未來量產(chǎn)方面，公司告訴36氪，有兩個核心的關(guān)鍵點(diǎn)，一是在已有的 fabless 生產(chǎn)模式上，如何保證產(chǎn)品發(fā)揮出最佳的性能，這對設(shè)計方法以及工藝的熟悉度要求比較高，公司的團(tuán)隊在這一點(diǎn)上已經(jīng)有了突出的技術(shù)實力和準(zhǔn)備;另一方面公司還在推進(jìn)量產(chǎn)階段產(chǎn)品一致性的控制，團(tuán)隊正加大投入并準(zhǔn)備擴(kuò)充相關(guān)人才的儲備。
基站應(yīng)用中， LDMOS 方案仍為目前主流方案?！竷?yōu)鎵科技」認(rèn)為，在未來幾年內(nèi)，由于價格以及穩(wěn)定性的考慮，LDMOS 仍將占有一定比例的市場份額，然而隨著 GaN 方案性能優(yōu)勢的突出，價格的下探，性價比提高，GaN 將會逐步替代 LDMOS 方案。
傳統(tǒng)的基站功率放大器領(lǐng)域由飛思卡爾(Freescale)、恩智浦(NXP)、英飛凌(Infineon)壟斷，集中提供 LDMOS 方案。黃飛認(rèn)為國內(nèi) GaN 功放芯片的初創(chuàng)公司更多的機(jī)會在于豐富產(chǎn)業(yè)鏈，一方面為設(shè)備商提供差異化產(chǎn)品，另一方面也降低了設(shè)備商供應(yīng)鏈的風(fēng)險，避免采購過于集中。
目前國內(nèi)外設(shè)計和生產(chǎn)基站射頻PA的廠商(包括IDM、Foundry和Fabless)并不多。有代表性的 IDM 包括Qorvo、英飛凌、NXP、Cree、日本住友、ADI、MACOM，以及我國的蘇州能訊，有代表性的Foundry有穩(wěn)懋、GCS、三安光電、海特高新、歐洲的 UMS 以及被中國益豐電子收購的OMMIC。
基于 GaN 材料設(shè)計芯片模組的解決方案
產(chǎn)品競爭策略方面，據(jù)黃飛介紹，一方面產(chǎn)品的性能指標(biāo)較多，「優(yōu)鎵科技」在寬帶以及線性度上的優(yōu)勢比較明顯，但差異性可能更多體現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計的思路上：公司側(cè)重，雖然如今市面上使用更多還是 LDMOS 和低集成度 GaN 器件方案，但是公司認(rèn)為廠商們還有更多的小型化需求，待模組方案達(dá)到落地標(biāo)準(zhǔn)，市場一定會被打開。
團(tuán)隊成員方面，公司核心團(tuán)隊均來自清華大學(xué)電子工程系，CEO黃飛擁有該系本碩博背景，首席科學(xué)家陳文華教授系清華電子工程系長聘教授，長期專注于高效射頻功放與線性化技術(shù)研究。
根據(jù) Yole 的預(yù)測，GaN 射頻器件市場預(yù)計到2024年成長至20億美元，6年 CAGR 達(dá)到21%。主要的市場增長來自無線通信基礎(chǔ)設(shè)施和軍工。5G的普及將推動 GaN 在無線通信的市場達(dá)到7.5億美元。在長遠(yuǎn)規(guī)劃上，黃飛表示公司比較關(guān)注技術(shù)本身所擅長的一些應(yīng)用場景，如小基站、WiFi6 的企業(yè)網(wǎng)以及衛(wèi)星通訊地面設(shè)備等相關(guān)場景。
公司目前有融資需求，新一輪融資主要用來完成團(tuán)隊進(jìn)一步擴(kuò)充和加大產(chǎn)品研發(fā)投入。
關(guān)鍵詞： 優(yōu)鎵科技
